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R6020ENZ1C9
- Modello di prodotti:
- R6020ENZ1C9
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 55886 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R6020ENZ1C9.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 1400pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-247 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | R6020ENZ1C9 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 60nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 1mA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| rapporto di capacità: | 120W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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