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R6020ENZ1C9
- Número de pieza:
- R6020ENZ1C9
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 55886 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- R6020ENZ1C9.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 1400pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | TO-247 |
| VGS (th) (Max) @Id: | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 20A (Tc) |
| Polarización: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | R6020ENZ1C9 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4V @ 1mA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| relación de capacidades: | 120W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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