R5F10PPJLFB#X0 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per R5F10PPJLFB#X0, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per R5F10PPJLFB#X0 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista R5F10PPJLFB#X0 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
R5F10PPJLFB#X0
- Modello di prodotti:
- R5F10PPJLFB#X0
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100LQFP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 36095 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R5F10PPJLFB#X0.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 100-LQFP (14x14) |
| Velocità: | 32MHz |
| Serie: | RL78/F14 |
| Dimensioni RAM: | 20K x 8 |
| Tipo di memoria di programma: | FLASH |
| Dimensioni memoria programma: | 256KB (256K x 8) |
| Periferiche: | LVD, POR, PWM, WDT |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 100-LQFP |
| Tipo oscillatore: | Internal |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Numero di I / O: | 86 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dimensioni EEPROM: | 8K x 8 |
| Descrizione dettagliata: | RL78 RL78/F14 Microcontroller IC 16-Bit 32MHz 256KB (256K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14) |
| convertitori di dati: | A/D 24x10b, D/A 1x8b |
| Dimensione nucleo: | 16-Bit |
| core Processor: | RL78 |
| Connettività: | CANbus, CSI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R5F10PPJLFB#X0
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash