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R5016ANX
- Modello di prodotti:
- R5016ANX
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 58153 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- R5016ANX.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 270 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 16A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per R5016ANX
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
R5016ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
 |
R5011ANX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A TO220 | Inchiesta |
 |
R5011415XXZT | Powerex, Inc. | RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV | Inchiesta |
|
R5011ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
 |
R5020610RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | Inchiesta |
|
R5016FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM | Inchiesta |
|
R5020410RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA | Inchiesta |
|
R5016FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 16A LPT | Inchiesta |
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R5011FNX | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM | Inchiesta |
|
R5020218FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA | Inchiesta |
|
R5013ANXFU6 | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM | Inchiesta |
|
R5020418FSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA | Inchiesta |
|
R5013ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
|
R5011610XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205 | Inchiesta |
|
R5020210RSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | Inchiesta |
|
R5019ANJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 19A LPTS | Inchiesta |
|
R5011615XXWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205 | Inchiesta |
|
R5020413LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA | Inchiesta |
|
R5020213LSWA | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA | Inchiesta |
|
R5011FNJTL | LAPIS Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A LPT | Inchiesta |
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