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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMV65XPVL
PMV65XPVL
Modello di prodotti:
PMV65XPVL
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
52788 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
PMV65XPVL.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-236AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):480mW (Ta)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:934058736235
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:744pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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PMV56XN,215 Image PMV56XN,215 NXP Semiconductors / Freescale MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 Inchiesta
PMV50UPE,215 Image PMV50UPE,215 Nexperia MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB Inchiesta
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PMV50XPR Image PMV50XPR Nexperia MOSFET P-CH 20V SOT23 Inchiesta
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