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PHB191NQ06LT,118
- Modello di prodotti:
- PHB191NQ06LT,118
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30018 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PHB191NQ06LT,118.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | 1727-3055-1 568-2188-1 568-2188-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7665pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 95.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 55V 75A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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