PE-67539 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per PE-67539, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per PE-67539 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista PE-67539 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
PE-67539
- Modello di prodotti:
- PE-67539
- fabbricante:
- Pulse Electronics Corporation
- Descrizione:
- COMMON MODE CHOKE 4LN TH
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 32437 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PE-67539.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - cc: | - |
| Tensione nominale - ca: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.500" L x 0.500" W (12.70mm x 12.70mm) |
| Serie: | - |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Vertical, 8 PC Pin |
| Altri nomi: | 553-1235 PE67539 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Numero di linee: | 4 |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altezza (max): | 0.375" (9.53mm) |
| Tipo di filtro: | Signal Line |
| Caratteristiche: | - |
| Descrizione dettagliata: | 4 Line Common Mode Choke Through Hole DCR 600 mOhm |
| Resistenza DC (DCR) (max): | 600 mOhm |
| Spessore scheda (mm): | - |
| Approvazioni: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PE-67539
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC