PBRP123ES,126 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per PBRP123ES,126, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per PBRP123ES,126 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista PBRP123ES,126 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
PBRP123ES,126
- Modello di prodotti:
- PBRP123ES,126
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 29011 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PBRP123ES,126.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | - |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | 934059133126 PBRP123ES AMO PBRP123ES AMO-ND |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | - |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 800mA |
| Numero di parte base: | PBRP123 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PBRP123ES,126
Latest Notizie
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari