P0175NLT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per P0175NLT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per P0175NLT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista P0175NLT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
P0175NLT
- Modello di prodotti:
- P0175NLT
- fabbricante:
- Pulse Electronics Corporation
- Descrizione:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 2.6UH SMD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28958 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- P0175NLT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tolleranza: | ±10% |
| Dimensioni / Dimension: | 0.500" L x 0.500" W (12.70mm x 12.70mm) |
| Schermatura: | Unshielded |
| Serie: | Polecat |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Nonstandard |
| Altri nomi: | 553-1931-2 P0175NLT-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 130°C |
| Numero di spire: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induttanza - Collegamento in serie: | 10.4µH |
| Induttanza - Collegamento in parallelo: | 2.6µH |
| Altezza: | 0.215" (5.46mm) |
| Descrizione dettagliata: | Unshielded 2 Coil Inductor Array 10.4µH Inductance - Connected in Series 2.6µH Inductance - Connected in Parallel 10.9 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 7.2A Nonstandard |
| Resistenza DC (DCR) - Serie: | 43.6 mOhm Max |
| Resistenza DC (DCR) - Parallelo: | 10.9 mOhm Max |
| Corrente nominale - Serie: | 3.78A |
| Corrente nominale - parallela: | 7.2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per P0175NLT
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico