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NX3020NAKV,115
- Modello di prodotti:
- NX3020NAKV,115
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 28310 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NX3020NAKV,115.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-666 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Potenza - Max: | 375mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | 1727-1287-2 568-10507-2 568-10507-2-ND 934067068115 NX3020NAKV,115-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.44nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 200mA 375mW Surface Mount SOT-666 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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