NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
Modello di prodotti:
NVTFS6H850NWFTAG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRENCH 8 80V NFET
Quantità di magazzino:
37485 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NVTFS6H850NWFTAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 70µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 107W (Tc)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:45 Weeks
Stato senza piombo:Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 68A (Tc)
Email:[email protected]

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