NVATS4A104PZT4G
Modello di prodotti:
NVATS4A104PZT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
37829 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NVATS4A104PZT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ATPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8.4 mOhm @ 38A, 10V
Dissipazione di potenza (max):72W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3950pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 82A (Ta) 72W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:82A (Ta)
Email:[email protected]

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