NTR5103NT1G
NTR5103NT1G
Modello di prodotti:
NTR5103NT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
20925 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTR5103NT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):300mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:NTR5103NT1G-ND
NTR5103NT1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.81nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 260mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

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