NTMS4404NR2
Modello di prodotti:
NTMS4404NR2
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
25119 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTMS4404NR2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:11.5 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):830mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:NTMS4404NR2OS
NTMS4404NR2OS-ND
NTMS4404NR2OSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 24V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 7A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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