NTMFS4833NAT1G
NTMFS4833NAT1G
Modello di prodotti:
NTMFS4833NAT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
27777 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTMFS4833NAT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 11.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 16A (Ta), 191A (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 191A (Tc)
Email:[email protected]

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