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NTMD6P02R2G
- Modello di prodotti:
- NTMD6P02R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 33553 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NTMD6P02R2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 750mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD6P02R2GOS NTMD6P02R2GOS-ND NTMD6P02R2GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 41 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.8A |
| Numero di parte base: | NTMD6P02 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTMD6P02R2G
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