NTJD2152PT4G
NTJD2152PT4G
Modello di prodotti:
NTJD2152PT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
30476 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTJD2152PT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Potenza - Max:270mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 8V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:775mA
Numero di parte base:NTJD2152P
Email:[email protected]

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