NTHD4502NT1G
NTHD4502NT1G
Modello di prodotti:
NTHD4502NT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
42643 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTHD4502NT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:ChipFET™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 10V
Potenza - Max:640mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:NTHD4502NT1GOSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A
Numero di parte base:NTHD4502N
Email:[email protected]

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