NTHD3101FT3
NTHD3101FT3
Modello di prodotti:
NTHD3101FT3
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
56777 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTHD3101FT3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ChipFET™
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:680pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 3.2A (Tj) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tj)
Email:[email protected]

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