NTD24N06L-1G
NTD24N06L-1G
Modello di prodotti:
NTD24N06L-1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
40629 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTD24N06L-1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:45 mOhm @ 10A, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 24A (Ta) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta)
Email:[email protected]

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