NTB125N02RG
NTB125N02RG
Modello di prodotti:
NTB125N02RG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
46516 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTB125N02RG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3440pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione dettagliata:N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Ta), 120.5A (Tc)
Email:[email protected]

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