NOJA475M006RWJ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per NOJA475M006RWJ, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per NOJA475M006RWJ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista NOJA475M006RWJ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
NOJA475M006RWJ
- Modello di prodotti:
- NOJA475M006RWJ
- fabbricante:
- AVX Corporation
- Descrizione:
- CAP NIOB OXI 4.7UF 20% 6.3V 1206
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 22486 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NOJA475M006RWJ.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 6.3V |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206 (3216 Metric) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Serie: | OxiCap® NOJ |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 1206 (3216 Metric) |
| Altri nomi: | 478-3213-1 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Codice dimensioni produttore: | A |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | 0.071" (1.80mm) |
| Caratteristiche: | - |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | 3.2 Ohms |
| Fattore di dissipazione: | 6% |
| Descrizione dettagliata: | 4.7µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 3.2 Ohms |
| Corrente - Dispersione: | 1.1µA |
| Capacità: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NOJA475M006RWJ
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJB106M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1210 | Inchiesta |
|
NOJB107M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 1210 | Inchiesta |
 |
NOJA336M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA226M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA336M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 33UF 20% 2.5V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA476M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 1.8V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA476M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA156M004SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA685M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 6.8UF 20% 10V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA226M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 22UF 20% 2.5V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA685M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 6.8UF 20% 6.3V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA156M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 10V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA336M004SWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 33UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA476M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 2.5V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA156M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA156M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
|
NOJB107M006RWB | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 1210 | Inchiesta |
|
NOJB107M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 1210 | Inchiesta |
|
NOJA475M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 4.7UF 20% 10V 1206 | Inchiesta |
|
NOJA226M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 22UF 20% 4V 1206 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi