NJVMJD32CT4G-VF01
NJVMJD32CT4G-VF01
Modello di prodotti:
NJVMJD32CT4G-VF01
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35719 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NJVMJD32CT4G-VF01.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Potenza - Max:1.56W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:NJVMJD32CT4G
NJVMJD32CT4G-ND
NJVMJD32CT4G-VF01OSTR
NJVMJD32CT4GOSTR
NJVMJD32CT4GOSTR-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10 @ 3A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):20µA
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Numero di parte base:MJD32C
Email:[email protected]

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