NE3210S01-T1B è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per NE3210S01-T1B, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per NE3210S01-T1B via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista NE3210S01-T1B con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
NE3210S01-T1B
- Modello di prodotti:
- NE3210S01-T1B
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- FET RF 4V 12GHZ S01
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52292 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NE3210S01-T1B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 2V |
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SMD |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD |
| Figura di rumore: | 0.35dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 13.5dB |
| Frequenza: | 12GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE3210S01-T1B
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi