NDS8858H
NDS8858H
Modello di prodotti:
NDS8858H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
43173 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
NDS8858H.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.8V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 4.8A, 10V
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:NDS8858HTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.3A, 4.8A
Email:[email protected]

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