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NAND04GW3B2DN6E
- Modello di prodotti:
- NAND04GW3B2DN6E
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 20734 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NAND04GW3B2DN6E.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 25ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TSOP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP |
| Numero di parte base: | NAND04G |
| Tempo di accesso: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
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