MURT20060R
MURT20060R
Modello di prodotti:
MURT20060R
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
47242 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.MURT20060R.pdf2.MURT20060R.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.7V @ 100A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:Three Tower
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):160ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Three Tower
Altri nomi:MURT20060RGN
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Configurazione diodo:1 Pair Common Anode
Descrizione dettagliata:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr:25µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):200A (DC)
Email:[email protected]

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