MTP36N06V
MTP36N06V
Modello di prodotti:
MTP36N06V
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
53562 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MTP36N06V.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:MTP36N06VOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 32A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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