MTD6N15T4G
MTD6N15T4G
Modello di prodotti:
MTD6N15T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29069 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MTD6N15T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.25W (Ta), 20W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MTD6N15T4GOS
MTD6N15T4GOS-ND
MTD6N15T4GOSTR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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