MT49H8M36SJ-25E:B TR
MT49H8M36SJ-25E:B TR
Modello di prodotti:
MT49H8M36SJ-25E:B TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
26850 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MT49H8M36SJ-25E:B TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:DRAM
Contenitore dispositivo fornitore:144-FBGA (18.5x11)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:144-TFBGA
Altri nomi:MT49H8M36SJ-25E:B TR-ND
MT49H8M36SJ-25E:BTR
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:288Mb (8M x 36)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:DRAM Memory IC 288Mb (8M x 36) Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA (18.5x11)
Frequenza dell'orologio:400MHz
Tempo di accesso:15ns
Email:[email protected]

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