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MT47H128M4CB-5E:B
- Modello di prodotti:
- MT47H128M4CB-5E:B
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24335 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MT47H128M4CB-5E:B.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 15ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 60-FBGA |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 60-FBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 5 (48 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 512Mb (128M x 4) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Numero di parte base: | MT47H128M4 |
| Tempo di accesso: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MT47H128M4CB-5E:B
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