MT41J512M8RH-093:E TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MT41J512M8RH-093:E TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MT41J512M8RH-093:E TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MT41J512M8RH-093:E TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MT41J512M8RH-093:E TR
- Modello di prodotti:
- MT41J512M8RH-093:E TR
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 38293 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MT41J512M8RH-093:E TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR3 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 78-FBGA (9x10.5) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 78-TFBGA |
| Altri nomi: | MT41J512M8RH-093:E TR-ND MT41J512M8RH-093:ETR |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1066MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5) |
| Frequenza dell'orologio: | 1066MHz |
| Numero di parte base: | MT41J512M8 |
| Tempo di accesso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MT41J512M8RH-093:E TR
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi