MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- Modello di prodotti:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47352 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.8V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Serie: | - |
| Altri nomi: | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-ND MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80E |
| temperatura di esercizio: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH, RAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz |
| Frequenza dell'orologio: | 533MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico