MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
- Modello di prodotti:
- MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 58336 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Altri nomi: | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR-ND MT29F512G08CKCCBH7-6R:CTR |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 512Gb (64G x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz |
| Frequenza dell'orologio: | 166MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione