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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > MS1001
MS1001
Modello di prodotti:
MS1001
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TRANS RF BIPO 270W 20A M174
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
51686 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
MS1001.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):18V
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:M174
Serie:-
Potenza - Max:270W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:M174
temperatura di esercizio:200°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):-
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:13dB
Frequenza - transizione:30MHz
Descrizione dettagliata:RF Transistor NPN 18V 20A 30MHz 270W Chassis Mount M174
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 5A, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):20A
Email:[email protected]

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Parti relative per MS1001

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
MS104/TR12 Image MS104/TR12 Microsemi DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL Inchiesta
MS1004 Microsemi TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC Inchiesta
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MS1007 Microsemi TRANS RF BIPO 233W 10A M174 Inchiesta
MS1006 Microsemi RF POWER TRANSISTOR Inchiesta
MS1003 Microsemi TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC Inchiesta
MS105E3/TR12 Image MS105E3/TR12 Microsemi DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL Inchiesta
MS105/TR12 Image MS105/TR12 Microsemi DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL Inchiesta
MS1001A Microsemi TRANS RF BIPO 270W 20A Inchiesta
MS1014 Microsemi RF POWER TRANSISTOR Inchiesta
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MS1008 Microsemi TRANS RF BIPO 233W 10A TO-220AC Inchiesta

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