MOX300001006FE è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MOX300001006FE, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MOX300001006FE via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MOX300001006FE con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MOX300001006FE
- Modello di prodotti:
- MOX300001006FE
- fabbricante:
- Ohmite
- Descrizione:
- RES 100M OHM 1/2W 1% AXIAL
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 35383 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MOX300001006FE.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tolleranza: | ±1% |
| Coefficiente di temperatura: | 100ppm/°C |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Axial |
| Dimensioni / Dimension: | 0.130" Dia x 0.354" L (3.30mm x 9.00mm) |
| Serie: | Mini-Mox |
| Modalità Pannello: | 100 MOhms |
| Potenza (W): | 0.5W, 1/2W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Axial |
| Altri nomi: | MOX-300001006FE MOX300F-100ME |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 155°C |
| Numero di terminazioni: | 2 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | High Voltage, Moisture Resistant |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 100 MOhms ±1% 0.5W, 1/2W Through Hole Resistor Axial High Voltage, Moisture Resistant Thick Film |
| Composizione: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MOX300001006FE
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
MOX300001007JE | Ohmite | RES 1G OHM 1/2W 5% AXIAL | Inchiesta |
 |
MOX200002004FE | Ohmite | RES 2M OHM 1/4W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300002006FE | Ohmite | RES 200M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300001004FE | Ohmite | RES 1M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
 |
MOX200004006JE | Ohmite | RES 400M OHM 1/4W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300002006JE | Ohmite | RES 200M OHM 1/2W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200002506FE | Ohmite | RES 250M OHM 1/4W 1% AXIAL | Inchiesta |
 |
MOX300001005FE | Ohmite | RES 10M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300002004FE | Ohmite | RES 2M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300005005FE | Ohmite | RES 50M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
 |
MOX300001007FE | Ohmite | RES 1G OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200002215FE | Ohmite | RES 22.1M OHM 1/4W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200003005JE | Ohmite | RES 30M OHM 1/4W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200002505FE | Ohmite | RES 25M OHM 1/4W 1% AXIAL | Inchiesta |
 |
MOX300001006JE | Ohmite | RES 100M OHM 1/2W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200002005FE | Ohmite | RES 20M OHM 1/4W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX200005004JE | Ohmite | RES 5M OHM 1/4W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300001506FE | Ohmite | RES 150M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300003006JE | Ohmite | RES 300M OHM 1/2W 5% AXIAL | Inchiesta |
|
MOX300002205FE | Ohmite | RES 22M OHM 1/2W 1% AXIAL | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico