MMIX1T132N50P3
MMIX1T132N50P3
Modello di prodotti:
MMIX1T132N50P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
SMPD HIPERFETS & MOSFETS
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34683 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.MMIX1T132N50P3.pdf2.MMIX1T132N50P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Polar3™
Serie:Polar™
Rds On (max) a Id, Vgs:43 mOhm @ 66A, 10V
Dissipazione di potenza (max):520W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:24-PowerSMD, 22 Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:18600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 63A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount Polar3™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:63A (Tc)
Email:[email protected]

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