MMDT2222V-7 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MMDT2222V-7, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MMDT2222V-7 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MMDT2222V-7 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MMDT2222V-7
- Modello di prodotti:
- MMDT2222V-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 59983 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MMDT2222V-7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 40V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | MMDT2222V7 MMDT2222VDITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 300MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 300MHz 150mW Surface Mount SOT-563 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 10nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 600mA |
| Numero di parte base: | MMDT2222V |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MMDT2222V-7
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico