MMBT5401-G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MMBT5401-G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MMBT5401-G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MMBT5401-G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MMBT5401-G
- Modello di prodotti:
- MMBT5401-G
- fabbricante:
- Comchip Technology
- Descrizione:
- TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 25177 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MMBT5401-G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 150V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | 641-2015-2 MMBT5401-G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MMBT5401-G
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash