MH4516-750Y è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MH4516-750Y, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MH4516-750Y via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MH4516-750Y con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MH4516-750Y
- Modello di prodotti:
- MH4516-750Y
- fabbricante:
- Bourns, Inc.
- Descrizione:
- FERRITE BEAD 75 OHM 1806 1LN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 55412 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MH4516-750Y.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.063" W (4.50mm x 1.60mm) |
| Serie: | MH |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 1806 (4516 Metric) |
| Altri nomi: | MH4516-750Y-ND MH4516-750YTR MH4516750Y |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Numero di linee: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedenza @ Frequenza: | 75 Ohms @ 100MHz |
| Altezza (max): | 0.071" (1.80mm) |
| Tipo di filtro: | Power, Signal Line |
| Resistenza DC (DCR) (max): | 25 mOhm |
| Spessore scheda (mm): | 3A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MH4516-750Y
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
2508056018Y2 | Fair-Rite Products Corp. | MULTI-LAYER CHIP BEAD | Inchiesta |
 |
MH4532-131Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 130 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
 |
BKP1005HS330-T | Taiyo Yuden | FERRITE BEAD 33 OHM 0402 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-700Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 70 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-121Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
 |
BLM31KN801SZ1L | Murata Electronics | FERRITE BEAD 800 OHM 1206 1LN | Inchiesta |
 |
ILB1206ER121V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 120 OHM 1206 1LN | Inchiesta |
 |
FBMH1608HM331-T | Taiyo Yuden | FERRITE BEAD 330 OHM 0603 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-681Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 680 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
 |
MH4516-800Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 80 OHM 1806 1LN | Inchiesta |
 |
MMZ2012Y300BT000 | TDK Corporation | FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-151Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 150 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
 |
742792621 | Wurth Electronics | FERRITE BEAD 140 OHM 0603 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-132Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 1.3 KOHM 1812 1LN | Inchiesta |
|
MH4532-800Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 80 OHM 1812 1LN | Inchiesta |
 |
BKP2125HS600-T | Taiyo Yuden | FERRITE BEAD 60 OHM 0805 1LN | Inchiesta |
|
BK2125LL560-TV | Taiyo Yuden | FERRITE BEAD 56 OHM 0805 1LN | Inchiesta |
|
MH4516-102Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 1 KOHM 1806 1LN | Inchiesta |
|
MH4516-600Y | Bourns, Inc. | FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN | Inchiesta |
 |
NFZ15SG462SN10D | Murata Electronics | FERRITE BEAD 4.6KOHM 0402 1LN | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico