MBR40200PT C0G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MBR40200PT C0G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MBR40200PT C0G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MBR40200PT C0G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MBR40200PT C0G
- Modello di prodotti:
- MBR40200PT C0G
- fabbricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrizione:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57967 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- MBR40200PT C0G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.01V @ 40A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AD (TO-3P) |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | MBR40200PT C0G-ND MBR40200PTC0G |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Schottky |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione dettagliata: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 40A Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MBR40200PT C0G
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico