MBR20035CT
Modello di prodotti:
MBR20035CT
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55784 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.MBR20035CT.pdf2.MBR20035CT.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:650mV @ 100A
Tensione - inversa (Vr) (max):35V
Contenitore dispositivo fornitore:Twin Tower
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Twin Tower
Altri nomi:MBR20035CTGN
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Schottky
Configurazione diodo:1 Pair Common Cathode
Descrizione dettagliata:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5mA @ 20V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):200A (DC)
Email:[email protected]

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