MAX4854HETE+T è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per MAX4854HETE+T, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per MAX4854HETE+T via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista MAX4854HETE+T con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
MAX4854HETE+T
- Modello di prodotti:
- MAX4854HETE+T
- fabbricante:
- Maxim Integrated
- Descrizione:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16TQFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44478 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.MAX4854HETE+T.pdf2.MAX4854HETE+T.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Alimentazione di tensione, singola (V +): | 2 V ~ 5.5 V |
| Alimentazione di tensione, Dual (V ±): | - |
| Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max): | 60ns, 40ns |
| Circuito di commutazione: | SPST - NO |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 16-TQFN (3x3) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 16-WFQFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistenza sullo stato (Max): | 9 Ohm |
| Numero di circuiti: | 4 |
| Circuito di Multiplexer / Demultiplexer: | 1:1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | 4 Circuit IC Switch 1:1 9 Ohm 16-TQFN (3x3) |
| Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo): | 2nA |
| crosstalk: | -95dB @ 1MHz |
| Iniezione di carica: | 8pC |
| Corrispondenza canale-canale (ΔRon): | 200 mOhm |
| Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato): | 12pF |
| Numero di parte base: | MAX4854 |
| -3 dB Larghezza di banda: | 150MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MAX4854HETE+T
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico