M29W160EB70ZA6 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per M29W160EB70ZA6, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per M29W160EB70ZA6 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista M29W160EB70ZA6 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
M29W160EB70ZA6
- Modello di prodotti:
- M29W160EB70ZA6
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- IC FLASH 16M PARALLEL 48TFBGA
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 55446 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- M29W160EB70ZA6.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 70ns |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH - NOR |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 48-TFBGA (6x8) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 48-TFBGA |
| Altri nomi: | 497-3603 M29W160EB70ZA61122 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NOR Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 70ns 48-TFBGA (6x8) |
| Numero di parte base: | M29W160E |
| Tempo di accesso: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per M29W160EB70ZA6
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato