M29F400BB55M6T TR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per M29F400BB55M6T TR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per M29F400BB55M6T TR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista M29F400BB55M6T TR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
M29F400BB55M6T TR
- Modello di prodotti:
- M29F400BB55M6T TR
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC FLASH 4M PARALLEL 44SO
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24305 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- M29F400BB55M6T TR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 55ns |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnologia: | FLASH - NOR |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-SO |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
| Altri nomi: | M29F400BB55M6T M29F400BB55M6T TR-ND M29F400BB55M6T-ND M29F400BB55M6TTR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Parallel 55ns 44-SO |
| Numero di parte base: | M29F400 |
| Tempo di accesso: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per M29F400BB55M6T TR
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico