LV52130N0XA-VH è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per LV52130N0XA-VH, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per LV52130N0XA-VH via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista LV52130N0XA-VH con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
LV52130N0XA-VH
- Modello di prodotti:
- LV52130N0XA-VH
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- IC REG BST SWTCH CAP INV 15WLCSP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 24778 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- LV52130N0XA-VH.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Uscita (min / fissa): | ±5V, ±5.4V |
| Tensione - uscita (max): | - |
| Tensione - Ingresso (min): | 2.5V |
| Tensione - Ingresso (max): | 5.5V |
| Topologia: | Boost, Charge Pump |
| raddrizzatore sincrono: | Yes |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 15-WLCSP (2.2x1.6) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 15-UFBGA, WLCSP |
| Tipo di uscita: | Programmable |
| Configurazione di uscita: | Positive and Negative (Dual Rail) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Numero di uscite: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funzione: | Step-Up, Step-Up/Step-Down |
| Frequenza - commutazione: | 925kHz, 1.85MHz |
| Descrizione dettagliata: | Boost, Charge Pump Switching Regulator IC Positive and Negative (Dual Rail) Programmable ±5V, ±5.4V 2 Output 900mA (Switch) 15-UFBGA, WLCSP |
| Corrente - Uscita: | 900mA (Switch) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LV52130N0XA-VH
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato