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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > LSM840GE3/TR13
LSM840GE3/TR13
Modello di prodotti:
LSM840GE3/TR13
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29838 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
LSM840GE3/TR13.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If:520mV @ 8A
Tensione - inversa (Vr) (max):40V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-215AB
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-215AB, SMC Gull Wing
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Schottky
Descrizione dettagliata:Diode Schottky 40V 8A Surface Mount DO-215AB
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2mA @ 40V
Corrente - raddrizzata media (Io):8A
Capacità a Vr, F:-
Numero di parte base:LSM840
Email:[email protected]

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Parti relative per LSM840GE3/TR13

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
LSM845J Image LSM845J Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB Inchiesta
LSM845J/TR13 Image LSM845J/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB Inchiesta
LSM845G/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB Inchiesta
LSM840J/TR13 Image LSM840J/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO214AB Inchiesta
LSM835G/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB Inchiesta
LSM835JE3/TR13 Image LSM835JE3/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO214AB Inchiesta
LSM840G/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB Inchiesta
LSM845JE3/TR13 Image LSM845JE3/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB Inchiesta
LSM845JE3 Image LSM845JE3 Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO214AB Inchiesta
LSM845GE3/TR13 Microsemi DIODE SCHOTTKY 45V 8A DO215AB Inchiesta
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