LQW18ASR33J0ZD è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per LQW18ASR33J0ZD, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per LQW18ASR33J0ZD via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista LQW18ASR33J0ZD con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
LQW18ASR33J0ZD
- Modello di prodotti:
- LQW18ASR33J0ZD
- fabbricante:
- Murata Electronics
- Descrizione:
- FIXED IND 330NH 100MA 3.89 OHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 22387 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.LQW18ASR33J0ZD.pdf2.LQW18ASR33J0ZD.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±5% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 0603 (1608 Metric) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Schermatura: | Unshielded |
| Serie: | LQW18 |
| Giudizi: | AEC-Q200 |
| Q alla frequenza: | 25 @ 100MHz |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 0603 (1608 Metric) |
| Altri nomi: | 490-15883-1 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Non-Magnetic |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 100MHz |
| Induttanza: | 330nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 900MHz |
| Descrizione dettagliata: | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 3.89 Ohm Max 0603 (1608 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 3.89 Ohm Max |
| Valutazione attuale: | 100mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LQW18ASR33J0ZD
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico