LPC3141FET180,551 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per LPC3141FET180,551, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per LPC3141FET180,551 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista LPC3141FET180,551 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
LPC3141FET180,551
- Modello di prodotti:
- LPC3141FET180,551
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 180TFBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 43775 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- LPC3141FET180,551.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione - (Vcc / Vdd): | 1.1 V ~ 3.6 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 180-TFBGA (12x12) |
| Velocità: | 270MHz |
| Serie: | LPC3100 |
| Dimensioni RAM: | 192K x 8 |
| Tipo di memoria di programma: | ROMless |
| Dimensioni memoria programma: | - |
| Periferiche: | DMA, I²S, LCD, PWM, WDT |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 180-TFBGA |
| Altri nomi: | 568-8729 935289711551 LPC3141FET180,551-ND |
| Tipo oscillatore: | External |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Numero di I / O: | 20 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dimensioni EEPROM: | - |
| Descrizione dettagliata: | ARM926EJ-S LPC3100 Microcontroller IC 16/32-Bit 270MHz ROMless 180-TFBGA (12x12) |
| convertitori di dati: | A/D 4x10b |
| Dimensione nucleo: | 16/32-Bit |
| core Processor: | ARM926EJ-S |
| Connettività: | EBI/EMI, I²C, IrDA, Memory Card, PCM, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Numero di parte base: | LPC314* |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LPC3141FET180,551
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico