LMK105F104ZV-F è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per LMK105F104ZV-F, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per LMK105F104ZV-F via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista LMK105F104ZV-F con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
LMK105F104ZV-F
- Modello di prodotti:
- LMK105F104ZV-F
- fabbricante:
- Taiyo Yuden
- Descrizione:
- CAP CER 0.1UF 10V Y5V 0402
- Quantità di magazzino:
- 28424 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- LMK105F104ZV-F.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 10V |
| Tolleranza: | -20%, +80% |
| Spessore (max): | 0.022" (0.55mm) |
| Coefficiente di temperatura: | Y5V (F) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Serie: | M |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 0402 (1005 Metric) |
| Altri nomi: | LMK105F104ZVF |
| temperatura di esercizio: | -30°C ~ 85°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount, MLCC |
| Tipo conduttore: | - |
| Distanza conduttori: | - |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | - |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 0.1µF -20%, +80% 10V Ceramic Capacitor Y5V (F) 0402 (1005 Metric) |
| Capacità: | 0.1µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LMK105F104ZV-F
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash